Транзисторы: биполярные, полевые, IGBT
Транзистор — активный полупроводниковый прибор, управляющий током в цепи посредством приложенного напряжения или тока. Применяется для усиления сигналов, коммутации нагрузок, генерации колебаний, импульсного преобразования энергии. Номенклатура ГОСТ охватывает биполярные, полевые с управляющим p-n-переходом, МОП (MOSFET), IGBT и составные Дарлингтона.
На складе «Концерн Номинал» в Москве представлено более 25 000 наименований транзисторов: от маломощных КТ315 до силовых МТКД на сотни ампер. Минимальный заказ — 2 000 руб., доставка по России, паспорта и сертификаты на каждую позицию.
Основные типы транзисторов
- КТ315, КТ361, КТ3102, КТ3107, КТ503, КТ502 — маломощные биполярные кремниевые (NPN/PNP, 150 мА, 25–50 В). Малосигнальное усиление, переключение, предусилительные каскады.
- КТ815, КТ817, КТ814, КТ816 — биполярные средней мощности (1,5 А / 40–100 В). Выходные каскады усилителей, драйверы реле, ключи.
- КТ805, КТ818, КТ819, КТ827, КТ8101, КТ8102 — мощные биполярные (10–25 А, 80–140 В). Усилители мощности, блоки питания, электропривод.
- КТ825, КТ827, КТ829 — составные (Дарлингтон). Высокий коэффициент усиления (>1000) при больших токах. Управление соленоидами, моторами.
- КП103, КП303, КП302, КП305 — полевые с управляющим p-n-переходом. Высокоомный вход (>10⁹ Ом), малошумящие входные каскады, электрометры.
- КП501, КП505, КП707, 2П902, IRF540, IRFZ44 — МОП (MOSFET). От 1 А до 120 А, RDS(on) 4 мОм – 100 Ом. Импульсные БП, инверторы, драйверы.
- КТ945, КТ946, 2П954 — СВЧ биполярные и полевые. Частоты до 2 ГГц, усилители радиочастоты, генераторы.
- IRG4PC, КП955, STGW (IGBT) — биполярные с изолированным затвором. 400–1700 В / 20–200 А. Частотные преобразователи, сварочные аппараты, индукционный нагрев.
Технические характеристики
- Максимальный ток коллектора/стока: 0,1–300 А.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 15 В – 1700 В.
- Рассеиваемая мощность: 0,1 Вт (КТ315) – 500 Вт (IGBT в ТО-247).
- Граничная частота: 250 МГц (КТ315) … 12 ГГц (СВЧ 2Т391).
- Коэффициент передачи тока h21э: 20 (мощные) … 1000+ (составные).
- RDS(on) MOSFET: 2 мОм (силовые) … 10 Ом (малосигнальные).
- Корпус: КТ-13 (ТО-92), КТ-26, КТ-27, ТО-220, ТО-247, ТО-3, SOT-23, D2PAK.
Применение
КТ315 и КТ3102 — универсальные транзисторы для любительской и промышленной электроники, учебных стендов, ремонта. КТ815 и КТ817 применяются в выходных каскадах аналоговых усилителей мощности и драйверах электромагнитных реле. Мощные КТ819 и КТ8101 — в линейных и ключевых стабилизаторах, блоках питания промоборудования. Полевые КП303 обеспечивают высокоомный малошумящий вход в электрокардиографах и прецизионных АЦП. MOSFET IRF540 и 2П902 используются в импульсных БП, драйверах шаговых двигателей, солнечных контроллерах. IGBT — ключевой элемент частотных преобразователей (до 690 В промышленных) и индукционных плавильных печей.
Производители
На складе представлены транзисторы заводов АО «Протон», ПАО «Электровыпрямитель» (г. Саранск) — КТ819, КТ827, IGBT-модули; АО «Кремний» (Брянск), ОАО «Ангстрем», ОАО «Оптрон». Импортные аналоги (Infineon, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Toshiba) — при отсутствии отечественного эквивалента. Для 2Т- и 2П-серий доступна приёмка ВП МО РФ.
Условия покупки
- Более 25 000 типов транзисторов на складе в Москве.
- Отгрузка юрлицам с НДС, физлицам — по розничной цене.
- Минимальный заказ — 2 000 руб. Оптовые скидки от 25 шт. одной позиции.
- Доставка по Москве — 1–3 дня. По России — СДЭК, Деловые линии, ПЭК, Байкал-Сервис.
- Спецсерии и снятые с производства — под заказ, срок 15–60 дней.
Для оформления заказа используйте корзину, звоните +7 (499) 704-14-31 или пишите на info@nominale.ru. Менеджер подберёт аналог и выставит счёт.
Частые вопросы
Чем КТ315 отличается от КТ3102?
КТ315 — ранний (1960-е) NPN с h21э 20–350 и fгр 250 МГц. КТ3102 — современный с меньшим шумом (4 дБ vs 10 дБ), h21э 100–1000 и той же граничной частотой. Взаимозаменяемы по применению, КТ3102 — лучший выбор для малошумящих входных каскадов.
Когда выбирать MOSFET, когда — IGBT?
MOSFET — до 500 В и высоких частот (>50 кГц) из-за низких потерь переключения. IGBT — выше 500 В или при больших токах (>50 А), ценой меньшего быстродействия (до 20 кГц). В частотниках 380 В почти всегда IGBT; в импульсных БП 100–300 В — MOSFET.
Можно ли заменить КТ819 на КТ8101?
КТ8101 — современная замена с более высоким Uкэ (до 150 В), меньшим остаточным напряжением и лучшей термостабильностью. Посадка и расцоковка идентичны (TO-3 / КТ-9). Замена прямая в схемах с запасом по напряжению.
